A4版 590頁 上製本
定価 45,000円(本体価格)
ISBN4-9902720-4-8
C3050 \45000E
A4版 590頁 上製本
定価 45,000円(本体価格)
ISBN4-9902720-4-8
C3050 \45000E
レーザーの発明以来46年を経たが、レーザーに関する科学と技術の進展はとどまるところを知らない。これはレーザーがサイエンスに概念 的にも新しい手法を提供し、また基盤技術として真に革新的であるからである。
最近では、超短パルス化、波形制御などが進み、究極の光を実現する技術が見えてくる一方、値段が安く使いやすい数多くのレーザーが市販 されてきている。その結果、理学、工学の諸分野は言うにおよばず、宇宙、産業、医療、農業などありとあらゆる領域でレーザーを使った技術 が導入され活躍している。
このような状況の下、レーザープロセシング技術は日々進歩し、この技術を活用している工場、開発現場、研究室から、この技術の基礎と最 近の進歩を要領よくまとめた便覧がほしいという声が非常に高まってきた。この種の出版に関しては、本書の前身とも言うべきレーザー学会編 「レーザープロセシング」が、山中千代衛教授を顧問に、難波進教授を編集委員長にて日経技術図書出版から刊行されているが、すでに16年 を経ている。したがって、日進月歩のレーザープロセシング技術の基本的な部分と、最前線の部を含め、重要な事項をカバーして解説し、この 技術の開発と応用に携わる研究者技術者に役立つようまとめることは急務と考えられた。
本書は、このような要請に答えるために、各方面の研究者、それぞれの専門家の研究者、技術者が実際の経験をもとに書き下ろしたもので、
他に例を見ない実際的な便覧である。レーザーの前に本書を一冊置くことで、工夫が進み、アイデアが湧き、問題が解けていくことと期待して
いる。
レーザー学会編
「レーザープロセシング応用便覧」 編集委員長
大阪大学工学研究科 増 原 宏
編集委員会 | ||||
編集委員長 | 増原 宏 | 大阪大学大学院工学研究科 教授 | ||
副委員長 | 松縄 朗 | 大阪大学 名誉教授 | ||
編集委員 | 岡田 龍雄 | 九州大学大学院 システム情報科学研究所 教授 | ||
小原 實 |
慶應義塾大学 理工学部電子工学科 教授 |
|||
杉岡 幸次 | (独)理化学研究所 レーザー物理工学研究室 専任研究員 | |||
坪井 泰之 | 北海道大学理学研究科 助教授 | |||
豊田 浩一 | 東京理科大学基礎工学部 教授 | |||
西井 準治 | (独)産業技術総合研究所 ガラス材料技術グループ長 | |||
藤田 雅之 | (財)レーザー技術総合研究所 主任研究員 | |||
三澤 弘明 | 北海道大学電子科学研究所ナノテクセンター長 教授 | |||
村上 浩一 | 筑波大学物理工学系 教授 | |||
鷲尾 邦彦 | (有)パラダイムレーザーリサーチ 代表取締役 | |||
顧問 | 難波 進 | 大阪大学 名誉教授 | ||
(五十音順) | ||||
MAIN CONTENTS | ||||
【第1章 プロセシン グ入門】 | ||||
1. | プロセシングの歴史 | 難波 進 | ||
1.1. | レーダー(RADAR:からレーザー(LASER)へ | |||
1.2. | レーザープロセシング | |||
1.3. | レーザーとの長いつきあい | |||
2. | プロセシング入門基礎 | 増原 宏 | ||
2.1. | サイエンスに支えられたプロセシング | |||
2.2. | レーザープロセシングと時間分解測定 | |||
2.3. | レーザーアプレーションにおける温度上昇と表面乱れの実時間測定 | |||
2.4. | フ工ムト秒プロセスはなぜ非熱過程か | |||
2.5. | おわりに |
【第2章 プロセス技 術の基礎】 | ||||
1. | レーザーの基礎 | 中島 信昭 | ||
1.1. | レーザーの語源とレーザーの歴史 | |||
1.2. | 自然放出,誘導放出 | |||
1.3. | 光の吸収と増幅 | |||
1.4. | スペクトル幅 | |||
1.5. | 共振器、励起源、レーザー媒質、モード | |||
1.6. | レーザー光の性質 | |||
2. | レーザープロセスの基礎過程 | 矢部 明 | ||
2.1. | 光物理・光化学初期過程 | |||
2.2. | レーザープロセスの基礎過程 | 矢部 孝 | ||
3. | レーザー光分解 | 新納 弘之 | ||
3.1. | はじめに | |||
3.2. | レーザー光分解過程の分類 | |||
3.3. | 種々の反応場における光分解プロセシング | |||
3.4. | プロセスの空間分解能の向上 | |||
3.5. | 様々なレーザー光分解プロセス | |||
4. | レーザーアブレーション | 西尾 悟 | ||
4.1. | 緒言 | |||
4.2. | アプレーション研究の歴史 | |||
4.3. | アプレーション概論 | |||
4.4. | アプレーションの機構 | |||
4.5. | レーザーアプレーションによる薄膜およぴナノ微粒子作製 | |||
4.6. | レーザーアプレーションの化学反応への応用 | |||
4.7. | 高分子のレーザーアプレーション | |||
4.8. | レーザー光照射による高分子の表面改質 | |||
4.9. | レーザーアプレーションによる高分子および有機薄膜・ナノ微粒子作製 | |||
4.10. | レーザーアプレーションの医療応用 | |||
4.11. | 新しい光源を用いたアプレーション | |||
4.12. | おわりに | |||
5. | レーザープラズマ | 松縄 朗 | ||
5.1. | レーザープラズマとは | |||
5.2. | レーザープラズマの挙動 | |||
5.3. | レーザープラズマの分光学的特長 | |||
5.4. | 金属プラズマの温度と電子密度 | |||
5.5. | シールドガスプラズマの温度 | |||
5.6. | レーザー誘起プラズマによるビ-ム吸収機構 | |||
5.7. | 入射レーザービームの散乱損失 | |||
6. | 過去と現在の比較 | 坪井 泰之 | ||
6.1. | はじめに | |||
6.2. | プロセス基礎過程:’60~’70年代 | |||
6.3. | プロセス基礎過程:’80年代 | |||
6.4. | プロセス基礎過程:’90年代半ば以降 | |||
6.5. | おわりに |
【第 3章 プロセス装置】 | ||||
1. | プロセス装置の基本構成 | 驚尾 邦彦 | ||
1.1. | プロセス装置の基本的構成要素 | |||
1.2. | 位置決め機構 | |||
1.3. | レーザービームの伝送方式 | |||
2. | プロセス用レーザー | 溝口 計 | ||
2.1. | 工キシマレーザー | |||
2.2. | C02レーザー | 安井 公治 | ||
2.3. | 高出力半導体レーザー | 林 祐治 | ||
2.4. | 半導体レーザー励起高出力ロッドレーザー | 安井 公治 | ||
2.5. | ディスクレーザー | 門屋 輝慶 | ||
2.6. | ファイバーレーザー | 辻 正和 | ||
2.7. | Qスイッチ発振固体レーザー | 工藤 秀悦 | ||
2.8. | 波長変換を利用した短波長レーザー | 安井 公治 | ||
2.9. | フェムト秒レーザー | 開田 仁志 | ||
3. | プロセス制御システム | 山崎 和則 | ||
3.1. | 光学系 | |||
3.2. | ステージ | |||
3.3. | その他(ホモジナイズド光学系) | |||
4. | プロセス装置の性能評価 | 檎 孝 | ||
4.1. | はじめに | |||
4.2. | 低温多結晶(poly一)SiTFT液晶ディスプレイ | |||
4.3. | レーザー結晶化アニールプロセス | |||
4.4. | 工キシマレーザーアニーラ | |||
4.5. | プロセスと装置仕様 | |||
4.6. | プロセス装置の性能評価 | |||
4.7. | おわりに |
【第 4章 マクロレーザープロセシング】 | ||||
1. | レーザーマクロ加工の種類と基礎現象 | 松縄 朗 | ||
1.1. | レーザーマクロ加工の種類と特長 | |||
1.3. | 斜め入射光の反射と吸収 | |||
1.4. | 吸収率の温度依存性 | |||
1.5. | キーホールの形成と実効ビーム吸収 | |||
2. | レーザー穴あけ | 新井 武二 | ||
2.1. | 概要 | |||
2.2. | 穴加工の実際 | |||
3. | レーザー切断 | 新井 武二 | ||
3.1. | 概要 | |||
3.2. | 切断加工の実際 | |||
4. | レーザー溶接 | 松縄 朗 | ||
4.1. | レーザー溶接に使われる発振器 | |||
4.2. | レーザー溶接における母村人熱形態 | |||
4.3. | レーザー溶接の特徴 | |||
4.4. | レーザー溶接における溶込み深さと雰囲気圧力 | |||
4.5. | 溶込みに及ぼす各種溶接パラメーターの影響 | |||
4.6. | パルスレーザー溶接における欠陥発生と抑制法 | |||
4.7. | 連続レーザー溶接における欠陥発生と防止策 | |||
4.8. | 新しいレーザーの出現と溶接への適用 | |||
4.9. | ハイブリッド溶接 | |||
4.10. | レーザー溶接の産業応用 | |||
5. | はんだ付およぴプレイジング | 武井 信彦 西本 和俊 |
||
5.1. | レーザーはんだ付 | 武井 信彦 | ||
5.2. | レーザープレイジング | 西本 和俊 | ||
6. | 変態硬化および溶融硬化 | 柴田 公博 | ||
6.1. | はじめに | |||
6.2. | レーザーによる変態硬化 | |||
6.3. | レーザーによる溶融硬化 | |||
6.4. | 今後の展開 | |||
7. | 非平衡金属組織形成およびアモルフアス相の結晶 | 河野 渉 | ||
7.1. | 非平衡金属組織形成 | |||
7.2. | 相変化材料のレーザー結晶化技法 | 井澤 雅則 | ||
8. | レーザーピーニング | 佐野 雄二 | ||
8.1. | はじめに | |||
8.2. | レーザーピーニングの原理 | |||
8.3. | レーザーピーニングの効果 | |||
8.4. | レーザーピーニングの応用 | |||
8.5. | まとめ | |||
9. | レーザークラッデインク | 沓名 宗春 | ||
9.1. | はしがき | |||
9.2. | レーザークラッデインクの特徴と溶融特性 | |||
9.3. | レーザークラッディング機器システム | |||
9.4. | レーザークラッデインクの施工条件 | |||
9.5. | レーザークラッデインクされる各種肉盛材料 | |||
9.6. | 肉盛部の欠陥と性能 | |||
9.7. | レーザークラッディングの実用例 | |||
9.8. | あとがき | |||
10. | ダイレクトメタルデポジション | 石出 孝 坪田 秀峰 |
||
10.1. | はじめに | |||
10.2. | 技術開発の歴史と現状技術 | |||
10.3. | 今後の展望 | |||
11. | レーザーフオーミンク | 吉岡 俊朗 三須 直志 |
||
11.1. | はじめに | |||
11.2. | レーザーフオーミンクの加工原理 | |||
11.3. | レーザー変形加工の実際 | |||
11.4. | コンピュータシミュレーション技術 | |||
11.5. | おわりに | |||
12. | その他の表面改質・加工実用例 | 沓名 宗春 | ||
12.1. | はしがき | |||
12.2. | レーザーアニーリング | |||
12.3. | レーザー溶体化処理(脱鋭敏化処理) | |||
12.4. | レーザー(曲げ)成形加工 | |||
12.5. | レーザー表面溶融 | |||
12.6. | レーザーピーニング | |||
12.7. | レーザー磁区細分化(Ma9neticDomainRefinin9) | |||
12.8. | レーザー着色 |
【第5章 ミクロレー ザープロセシング】 | ||||
1. | CVD | 大越 昌幸 | ||
1.1. | はじめに | |||
1.2. | レーザーCVDの機構 | |||
1.3. | レーザーCVDの特徴 | |||
1.4. | レーザーCVDの実際 | |||
1.5. | 最近のレーザーCVD研究例 | |||
1.6. | おわりに | |||
2. | 光酸化 | 累澤 宏 | ||
2.1. | はじめに | |||
2.2. | 酸化膜形成 | |||
2.3. | 光源開発の新展開 | |||
3. | レーザーアニーリング | 加藤 修 | ||
3.1. | はじめに | |||
3.2. | 低温ポリシリコンTFT | |||
3.3. | ELA技術 | |||
3.4. | まとめ | |||
4. | エビタキシヤル成長 | 吉本 護 原 和香奈 |
||
4.1. | 薄膜合成におけるレーザーアプレーションプロセスの特徴 | |||
4.2. | 薄膜成長様式:エビタキシヤル成長 | |||
4.3. | エビタキシヤル成長のナノスケール制御:レーザーMBE法 | |||
4.4. | レーザーMBE法による酸化物薄膜の室温エビタキシヤル成長 | |||
4.5. | ダイヤモンド薄膜のエビタキシヤル成長 | |||
5. | 工キシマレーザーリソグラフイ | 鳥海 実 | ||
5.1. | 概要 | |||
5.2. | リソグラフイ | |||
5.3. | レジスト | |||
5.4. | QCM法 | |||
5.5. | 露光装置 | |||
5.6. | 二光束干渉法 | |||
5.7. | 高解像力化 | |||
5.8. | 0PC法 | |||
5.9. | 位相シフト法 | |||
5.10. | 変形照明 | |||
5.11. | 短波長化 | |||
5.12. | 収差 | |||
5.13. | ホトリソグラフイの最新動向 | |||
5.14. | ArF液浸リソグラフイ | |||
5.15. | 将来展望 | |||
6. | プリント基板加工 | 犠 圭二 | ||
6.1. | はじめに | |||
6.2. | C02レーザードリル装置 | |||
6.3. | ∪∨レーザーの特徴と開発背景 | |||
6.4. | 高速∪∨レーザードリリングマシン【SLV-310丁】 | |||
6.5. | ∪∨レーザー加工特性 | |||
6.6. | 今後の動向 | |||
7. | 液晶表示装置 液晶表示装置リペア | 鳥越 俊宏 | ||
7.1. | はじめに | |||
7.2. | LCDの構成 | |||
7.3. | レーザーによるLCDの欠陥修正 | |||
7.4. | レーザーCVD法による修正技術 | |||
7.5. | ガスカーテンシールド法 | |||
7.6. | レーザーリヘア装置の構成 | |||
7.7. | 実際のレーザーリヘア装置 | |||
7.8. | おわりに | |||
8. | マスクリペアー | 小田嶋孝広 | ||
8.1. | はじめに | |||
8.2. | フォトマスクについて | |||
8.3. | 欠陥の種類 | |||
8.4. | 欠陥の修正方法 | |||
8.5. | 他の欠陥修正装置 | |||
8.6. | レーザーマスクリペアの構成概要 | |||
8.7. | 半導体デバイス用レーザーマスクリペア | |||
8.8. | LCD用レーザーCVDリヘア | |||
8.9. | おわり | |||
9. | その他の応用 | 湯浅 広士 | ||
9.1. | はじめに | |||
9.2. | レーザーマーキング | |||
9.3. | レーザー割断 | |||
9.4. | 様々なミクロレーザープロセシング | |||
9.5. | おわりに |
【第6章 材料創製】 | ||||
1. | 積層薄膜 | 森本 孝治 | ||
1.1. | はじめに | |||
1.2. | PLDの基礎過程 | |||
1.3. | 他の薄膜堆積法と比較したPLD法の特徴 | |||
1.4. | PLD法による積層薄膜作製における化学反応 | |||
1.5. | PLD法による積層薄膜の例 | |||
1.6. | まとめ | |||
2. | カーボンナノマテリアル | 小海 文夫 | ||
2.1. | はじめに | |||
2.2. | カーボンナノチューブ | |||
2.3. | 単層カーボンナノホーン粒子 | |||
2.4. | プレートレットグラファイト粒子および多面体グラファイト | |||
2.5. | ニッケル内包グラファイト性力一ボンナノ粒子 | |||
3. | 無機ナノ粒子 | 佐々木 毅 | ||
3.1. | はじめに | |||
3.2. | 気相レーザーアプレーションによるナノ粒子合成 | |||
3.3. | 液相レーザーアプレーションによるナノ粒子合成 | |||
4. | 液中レーザーアブレーション法による有撥ナノ粒子作成 | 朝日 剛 杉山 輝樹 |
||
4.1. | はじめに | |||
4.2. | 液中パルスレーザーアプレーション法 | |||
4.3. | 顔料ナノ粒子作製 | |||
4.4. | ナノ粒子の生成機構 | |||
4.5. | 今後の展開 |
【第7章 最先端加工】 | ||||
1. | 超短パルス | 松尾 繁樹 | ||
1.1. | はじめに | |||
1.2. | フ工ムト秒レーザー加工の特徴 | |||
1.3. | 加工装置 | |||
1.4. | フ工ムト秒レーザー加工の応用例 | |||
1.5. | 展望 | |||
2. | 極短波長加工 | 杉岡 幸次 | ||
2.1. | はじめに | |||
2.2. | 加工用極短波長光源 | |||
2.3. | F2レーザーによる加工 | |||
2.4. | レーザープラズマ軟×線による加工 | |||
2.5. | 極短波長支援による加工 | |||
2.6. | 今複の課逢および展望 | |||
3. | 長波長加工 | 粟津 邦男 鈴木 幸子 |
||
3.1. | はじめに | |||
3.2. | 赤外光と生体分子振動 | |||
3.3. | 赤外レーザーの医療応用 | |||
3.4. | 中赤外自由電子レーザーを用いた医療応用 | |||
3.5. | おわりに | |||
4. | 透明材料の3次元微細加工 | 細野 秀雄 河村 賢一 |
||
4.1. | はじめに | |||
4.2. | フ工ムト秒干渉需光法によるSi02ガラス内部の加工 | |||
4.3. | おわりに | |||
5. | 近接場加工 | 吉川 裕之 | ||
5.1. | はじめに | |||
5.2. | 光近接場 | |||
5.3. | 光近接場の発生源 | |||
5.4. | 開口型ブローブを利用した近接場加工 | |||
5.5. | フォトマスクを利用した近接場加工 | |||
5.6. | 表面プラズモン共鳴を利用した近接場加工 | |||
5.7. | さいごに | |||
6. | 表面レリーフ型回折格子 | 西井 準治 | ||
6.1. | はじめに | |||
6.2. | レーザー2光束干渉法による回折格子の作製 | |||
6.3. | ナノ秒レーザーによる回折素子の直接形成 | |||
6.4. | フ工ムト秒レーザーによる回折素子の直接形成 | |||
6.5. | 今後の展開 | |||
7. | LIPSS | 新納 弘之 | ||
7.1. | はじめに | |||
7.2. | 多光束干渉型によるLIPSS形成 | |||
7.3. | 単一光束照射型によるLIPSS形成 | |||
7.4. | その他のLIPSS形成 | |||
8. | 最先端加工 | 川田 善正 | ||
8.1. | はじめに | |||
8.2. | 光メモリの記録密度 | |||
8.3. | マスタリングにおけるレーザープロセシング | |||
8.4. | データの記録・再生におけるレーザープロセシング | |||
8.5. | まとめ | |||
9. | 光導波路 | 西井 準治 | ||
9.1. | はじめに | |||
9.2. | 工キシマレーザー照射による導波路形成 | |||
9.3. | フ工ムト秒レーザー照射による導波路形成 | |||
9.4. | 今後の展開 | |||
10. | フォトニツク結晶 | 三澤 弘明 | ||
10.1. | はじめに | |||
10.2. | フォトニック結軋 およぴそれを用いたフォトニックデバイス | |||
10.3. | 集光フ工ムト秒レーザー加工によるフォトニック結晶の作製 | |||
10.4. | フ工ムト秒レーザー干渉加工によるフォトニック結晶の作製 | |||
10.5. | おわりに |
【第8草 レーザーと 安全・環境】 | ||||
1. | レーザークリーニング・レーザー除染 | 日塔 光一 | ||
1.1. | はじめに | |||
1.2. | レーザークリーニングの概要 | |||
1.3. | レーザークリーニングの原理 | |||
1.4. | レーザー除染 | |||
1.5. | 今複の展開とまとめ | |||
2. | レーザー剥離技術 | 藤田 雅之 | ||
2.1. | はじめに | |||
2.2. | レーザーレジスト剥離装置 | |||
2.3. | 剥離実験結果 | |||
2.4. | 剥離のメカニズム | |||
2.5. | 従来技術との比較 | |||
2.6. | おわりに | |||
3. | レーザー微量分析技術 | 桑子 彰 | ||
3.1. | はじめに | |||
3.2. | 原理 | |||
3.3. | 特徴 | |||
3.4. | 応用例 | |||
4. | レーザープラスチック分別技術 | 本越 伸二 | ||
5. | レーザー極微量分析技術 | 鈴木 康夫 | ||
5.1. | はじめに | |||
5.2. | RIMMPAの原理 | |||
5.3. | RIMMPAの主要機器 | |||
5.4. | RIMMPA実測データ | |||
5.5. | 剛MMPAの物理的描像 | |||
5.6. | 剛MMPAと従来機器との比較 | |||
5.7. | RIMMPAの活用先 | |||
6. | レーザー超音波法 | 落合 誠 | ||
6.1. | はじめに | |||
6.2. | レーザー超音波法の概要 | |||
6.3. | レーザー超音波システムの構成 | |||
6.4. | レーザー超音波システムの適用事例 | |||
6.5. | レーザー超音波法の今後の展開とまとめ | |||
7. | レーザーブレイジング | 石川 憲 | ||
7.1. | はじめに | |||
7.2. | レーザー事故発生状況 | |||
7.3. | 最大許容露光量(MPE),被ばく放出限界(AEL) | |||
7.4. | 国際規格1EC60825-1の適用 | |||
7.5. | 新しいJISC6802(2005)によるレーザーのクラス分け | |||
7.6. | 製造上の要件1使用者の要件 | |||
7.7. | レーザー事故の発生防止策 | |||
7.8. | まとめ |
【第9章 プロセシン グの今後の展望】 | ||||
1. | 最先端加工技術の実用化 | 小原 賓 | ||
1.1. | 最先端加工技術・光産業の現状 | |||
1.2. | 先端材料と光との相互作用の基礎 | |||
1.3. | 加工特性のパルス幅依存性 | |||
1.4. | 加工用超短パルスレーザー開発 | |||
1.5. | 新しい最先端プロセシング分野 | |||
2. | 化学lC | 生田 幸士 | ||
2.1. | マイクロ化学デバイス入門 | |||
2,2. | マイクロスケールでの分析と合成 | |||
2.3. | 化学lCのコンセプト | |||
2.4. | 化学lCの特長 | |||
2.5. | 立体マイクロ構造のためのマイクロナノ光造形法 | |||
2.6. | マイクロ光造形法を用いた製作 | |||
2.7. | 化学lCファミリーチップ | |||
2.8. | 化学lCの構造と機能 | |||
2.9. | チップ内での無細胞蛋白合成 | |||
2.10. | まとめと展望 | |||
3. | フェムト秒レーザーによる有横分子・たんばく質の結晶化 | 増原 宏 細川陽一郎 |
||
3.1. | はじめに | |||
3.2. | 光化学反応による結晶化 | |||
3.3. | レーザーの光電場による結晶化 | |||
3.4. | フ工ムト秒レーザーアプレーションにより誘起される新しい結晶化メカニズム | |||
3.5. | 今径の展望 | |||
4. | レーザーマニピュレーション | 伊都 将司 | ||
4.1. | はじめに | |||
4.2. | レーザーマニピュレーションの歴史 | |||
4.3. | 光トラッピンクの原理 | |||
4.4. | レーザートラッピンクが適用可能な粒子サイズ | |||
4.5. | レーザーマニピュレーション装置 | |||
4.6. | 複数の微粒子の同時操作 | |||
4.7. | レーザーマニピュレーションを用いたナノ・マイクロプロセシング |